低壓差線性穩(wěn)壓器主要參數(shù)及優(yōu)缺點(diǎn)
（http://www.de-ele.com）
接地電流，也成為靜態(tài)電流，負(fù)載調(diào)整率（此值越小，LDO抑制負(fù)載的能力越強(qiáng)）線性調(diào)整率（越小，輸入電壓對(duì)輸出電壓影響越小，LDO性能越好）電源抑制比（PSSR）,反映了德力西LDO對(duì)干擾信號(hào)的抑制能力。
低壓降（LDO）線性穩(wěn)壓器的成本低、噪音低、靜態(tài)電流小、外接元件也很少，通常只需一兩個(gè)旁路電容，且具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)（SoC）。它可用于電流主通道控制，芯片上集成了具有極低線上導(dǎo)通電阻的MOSFET，肖特基二極管、取樣電阻和分壓電阻等硬件電路，并具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、精密基準(zhǔn)源、差分放大器、延遲器等功能。PG是新一代LDO，具各輸出狀態(tài)自檢、延遲安全供電功能，也可稱(chēng)之為Power Good，即“電源好或電源穩(wěn)定”。 很多LDO僅需在輸入端及輸出端各接一顆電容即可穩(wěn)定工作。
新的LDO可達(dá)到以下指標(biāo)：輸出噪聲30μV，PSRR為60dB，靜態(tài)電流6μA，電壓降只有100mV。 LDO線性穩(wěn)壓器有這樣的性能提升主要原因：其使用的調(diào)整管是用P溝道MOSFET，P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，無(wú)需電流，降低了器件本身消耗的電流，其上的電壓降大致等于輸出電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。；普通的線性穩(wěn)壓器是使用PNP晶體管。在采用PNP晶體管的電路中，為防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可太低。
